| 加工定制 : | 是 | 品牌 : | centrotherm |
| 型號 : | Activator150 SiC和GaN退火及石墨烯生長/小批暈生產用垂直爐管CLV200 | 用途 : | 高溫爐生產線專為硅-碳化合物（SiC）或鎵-氮化（GaN） 設備的后植入燒結而設計開發 |
| 訂貨號 : | 111111 | 貨號 : | 111111 |
| 別名 : | 退火爐，氧化爐 | 規格 : | 1 |
| 是否跨境貨源 : | 否 |
Activator150 SiC和GaN退火及石墨烯生長
centrotherm Activator 150 高溫爐生產線專為硅-碳化合物（SiC）或鎵-氮化合物（GaN） 設備的后植入燒結而設計開發。Activator 150 可用于多種類型爐體， 如研發爐和批量生產爐， 且處理靈活性高。centrotherm 的無金屬加熱裝置的獨特設計允許處理溫度高達 1850 °C 同時縮短了工藝循環時間。由于占據空間小、購置成本低，所以 Activator 150 可實現生產具有成本效益。
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特點：
高活化率
表面粗糙程度 小
溫度達 1850°C
批量規模高達 50硅片（150mm）
加熱率達 150 K/min
通過SiH4可實現硅“過壓
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centrotherm CLV200
CLV200 小批暈生產用垂直爐管
I 適用于砫襯底的半導體集成電路的生產
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centrotherm C LV 200 是一個獨立的小批量晶圓 生產設備，能實現各項熱處理工藝，適用于少量生產及 研發。
cent rot herm 工藝反應 腔體及加熱系統有著獨特的設計， 升溫至 11 00 攝氏度。由于一爐尺寸較小（一批至多 50 片晶圓）， CLV 200 爐管能提供 非常靈活的常壓及低壓工藝，降低顧客研發費用。
cent rot herm 的設計在 ， 低耗上非常出色， 同時也具備了生產各種半導體器件的工藝靈活性。
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常壓工藝退火
氧化
擴散LPCVD PECVD
?溫度可達 11 00° C
凈化間占用面積小 [1.6 m叮
售 批量生產 100 mm 至200 mm 晶圓售 一批可處理 50 片晶圓
售 全自動 cassette -to-cassette 傳片
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